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J-GLOBAL ID：201302285959717957   整理番号：12A1798891

高速熱アニーリングにより誘起されたInAs/GaAs量子ドットの形態変化の原子分解研究

Atomically resolved study of the morphology change of InAs/GaAs quantum dot layers induced by rapid thermal annealing

著者 (5件)： KEIZER J. G. (Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, NL-5600 MB Eindhoven, NLD) ,  HENRIQUES A. B. (Instituto de Fisica, Universidade de Sao Paulo, C.P. 66318, 05315-970 Sao Paulo, BRA) ,  MAIA A. D. B. (Instituto de Fisica, Universidade de Sao Paulo, C.P. 66318, 05315-970 Sao Paulo, BRA) ,  QUIVY A. A. (Instituto de Fisica, Universidade de Sao Paulo, C.P. 66318, 05315-970 Sao Paulo, BRA) ,  KOENRAAD P. M. (Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, NL-5600 MB Eindhoven, NLD)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 24  ページ： 243113-243113-4  発行年： 2012年12月10日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAs/GaAs量子ドットの光電特性は高速熱アニーリングにより調整できる。本研究では,高速熱アニーリングによって誘起されたInAs/GaAs量子ドット層の形態変化を原子スケールで断面走査型トンネル顕微鏡法により調べた。劈開した表面の外向き緩和をモデル化する有限要素計算を行って,濡れ層と量子ドットのインジウム濃度プロファイルを高速熱アニーリングの前後に決定した。その結果は,濡れ層がアニーリングによって幅広くなることを示す。この広がりはインジウム原子の乱歩を仮定してモデルできた。さらに,量子ドット位置の方が強い歪勾配によって相互混合が増大することを示した。光ルミネセンスの測定結果は,光ルミネセンスピークが青方偏移し,狭くなることを示す。温度依存の光ルミネセンス測定結果は,アニールした試料の方が低い活性化エネルギーになることを示す。これら結果は観測した形態変化と一致する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  ヒ化インジウム ,  化合物半導体 ,  *量子ドット ,  結晶形態 ,  *RTA【熱処理】 ,  *走査型トンネル顕微鏡 ,  劈開【結晶】 ,  有限要素法 ,  表面緩和 ,  層 ,  薄膜 ,  酔歩 ,  相互拡散 ,  *光ルミネセンス ,  青方偏移 ,  スペクトル線幅 ,  活性化エネルギー ,  MBE成長
準シソーラス用語： *濡れ層

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高速熱アニーリング ,  誘起 ,  InAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  原子 ,  分解 ,  研究