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J-GLOBAL ID：201302285984531744   整理番号：13A0865102

Au/TiO₂(ルチル)/n-Si構造の容量-電圧およびコンダクタンス-電圧特性の温度依存性の解析

Analysis of the Temperature Dependence of the Capacitance-Voltage and Conductance-Voltage Characteristics of Au/TiO₂(rutile)/n-Si Structures

著者 (4件)： KINACI Baris (Gazi Univ., Dep. of Physics, Fac. of Sci., 06500, Ankara, TUR) ,  KINACI Baris (Gazi Univ., Photonics Application and Res. Center, 06500, Ankara, TUR) ,  OEZCELIK Sueleyman (Gazi Univ., Dep. of Physics, Fac. of Sci., 06500, Ankara, TUR) ,  OEZCELIK Sueleyman (Gazi Univ., Photonics Application and Res. Center, 06500, Ankara, TUR)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 42  号： 6  ページ： 1108-1113  発行年： 2013年06月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直列抵抗効果を考慮して,Au/TiO₂(ルチル)/n-Si Schottky障壁ダイオード(SBDs)の容量-電圧-温度(C-V-T)およびコンダクタンス/角周波数-電圧-温度(G/ω-V-T)特性を温度範囲200Kから380Kにわたり調べた。直流(DC)マグネトロンスパッタリング装置を使って200°Cでn型シリコン(Si)基板上に二酸化チタン(TiO₂)を蒸着した。結晶品質を改良するために,蒸着した薄膜を900°Cでアニーリングし,非晶質からルチル相への相変態を促進した。C^-2対Vプロットは逆バイアス領域で直線を与えた。Au/TiO₂(ルチル)/n-Si SBDsのドーピング濃度(N_D),Fermiエネルギーレベル(E_F),空乏層幅(W_D),障壁高さ(Φ_CV),および直列抵抗(R_S)のような主要な電気的パラメータをC-V-TとG/ω-V-T特性から計算した。計算結果から,温度増加と共に,Φ_CV,R_S,とW_D値は減少し,一方E_FとN_D値は増加することが分かった。Copyright 2013 TMS Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化チタン ,  ルチル型結晶 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  マグネトロンスパッタリング ,  *容量電圧特性 ,  コンダクタンス ,  周波数 ,  焼なまし ,  電気抵抗 ,  相変態 ,  Fermi準位 ,  空乏層 ,  温度依存性 ,  高さ
準シソーラス用語： Fermiエネルギー ,  アニーリング ,  角周波数 ,  障壁高さ ,  直列抵抗 ,  *二酸化チタン

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (8件)： Au ,  TiO2 ,  ルチル ,  Si ,  コンダクタンス ,  電圧特性 ,  温度依存性 ,  解析