文献

J-GLOBAL ID：201302286068784811   整理番号：13A1354441

Al⁺イオン注入4H-SiC p⁺-i-nダイオード:負の温度係数を持つ順方向電流

Al⁺ Implanted 4H-SiC p⁺-i-n Diodes: Forward Current Negative Temperature Coefficient

著者 (3件)： NIPOTI Roberta (IMM of Bologna, CNR, Bologna, ITA) ,  MOSCATELLI Francesco (IMM of Bologna, CNR, Bologna, ITA) ,  DE NICOLA Pietro (Lab. Micro and Submicro Enabling Technol. Emilia-Romagna Region, Bologna, ITA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 34  号： 8  ページ： 966-968  発行年： 2013年08月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化珪素(SiC)は高い電流密度と耐圧を有する大電力半導体デバイスを実現する材料として期待されている。一方,P-i-nダイオードは順方向電流の温度依存性が正であり,使用状況によっては熱暴走する恐れが有る。本稿では,アノード領域をAl⁺イオン注入により形成した4H-SiC P-i-nダイオードについて,その製造条件と順方向電流の温度依存性について検討した。注入したAl⁺イオンの活性化熱処理を,1650°C25分と1950°C5分の条件で行った場合に,前者は順方向電流の温度依存性が室温から290°Cの範囲で正であるのに対して,後者はある動作点から温度依存性が正から負に変わることが分った。このことは,プロセス条件および設計条件により,順方向電流の温度依存性がほとんどないデバイスが実現できる可能性があることを示している。

シソーラス用語： *PINダイオード ,  *炭化ケイ素 ,  *温度依存性 ,  熱処理 ,  イオン注入 ,  金属イオン ,  温度係数
準シソーラス用語： アルミニウムイオン ,  イオン注入熱処理

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン注入 ,  4H-SiC ,  ダイオード ,  負の温度係数 ,  順