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J-GLOBAL ID：201302286243385720   整理番号：13A1792079

ラム波共振器のための温度補償付きAlN/SiO₂構造

Temperature Compensated AlN/SiO₂ Structures for Lamb Wave Resonators

著者 (1件)： NAUMENKO Natalya (Moscow State and Alloys Inst.)
資料名： IEEE International Ultrasonics Symposium  (IEEE International Ultrasonics Symposium)
巻： 2012 Vol.4  ページ： 2758-2761  発行年： 2012年 
JST資料番号： A0437C  ISSN： 1948-5719  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AIN薄板を使用するラム波共振器は無線通信システムおよび他の高周波応用にとり魅力的である。本研究では,低い左右対称の,および,非対称モード,SQおよびao,はラム波共振器においてA1NとAlN/Si02膜を使用することで数値的に調査された。SDA-FEM-SDA方法で得られた結果は,以前,公表されたデータと一致する。AlN/Si02構造の2つの構成がAJNの下部,または,頂上いずれかにおいてSi02フィルムと比較された。結果として,以下が見出された。a) AL電極が,AlN/Si02構造の両方の構成とA1N膜の中でもA1Nの下部に存在しているとき,電気機械結合係数k2は非常に強く,そして,ALが低伝導率であるとき,k2は低下する。b) SQとaoモードの速度はSi02フィルムの厚み増加とともに,両方のAlN/Si02構成で減少する。c) 温度補償されたAIN/SKK構造に対し,最適SiC>2の厚さとAINの厚さの間の比率は0.6~0.25の間で,AINの厚さに依存して変化する。d)格子の反射率は二つのAIN/Sio2構成において異符号を示し,その絶対値はSi02の厚さの増加に対し減少する;下部Al電極にLamb波を伴う構造では,格子の電極との弱い相互作用を示した。

シソーラス用語： 温度補償 ,  Lamb波 ,  *共振器 ,  *結合係数 ,  *電気伝導率 ,  金属性 ,  格子 ,  相互作用
準シソーラス用語： *圧電共振器 ,  *最小金属伝導率 ,  *電気機械結合係数

分類 (3件)： 共振器  (NC04050Y) ,  その他の熱的変量の計測法・機器  (AD06040R) ,  R,L,C,Q,インピーダンス,誘電率の計測法・機器  (AD07030N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ラム波 ,  共振器 ,  温度補償 ,  AlN ,  SiO2