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J-GLOBAL ID：201302286357008668   整理番号：13A1032480

排出制御型高速電荷変調画素を用いたTOF距離画像センサ

TOF Range image sensor using DOM structure

著者 (4件)： HAN Sangman (静岡大 自然科学系) ,  安富啓太 (静岡大 電子工研) ,  香川景一郎 (静岡大 電子工研) ,  川人祥二 (静岡大 電子工研)
資料名： 映像情報メディア学会技術報告
巻： 37  号： 22(IST2013 15-27)  ページ： 9-11  発行年： 2013年05月24日 
JST資料番号： S0209A  ISSN： 1342-6893  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： フォトダイオードで発生した電荷を,高速に排出または蓄積部へ転送して電荷変調する画素構造を用いた光飛行時間型距離画像センサを提案する。従来の転送ゲートを用いた電荷変調方式に比べて,電荷転送を高速化することができて,距離分解能を高めることができる。実際に提案するセンサを設計・試作し,その電荷変調の特性を確認した。(著者抄録)

シソーラス用語： *イメージセンサ ,  *距離画像 ,  画素 ,  信号変調 ,  電荷 ,  高速化 ,  分解能 ,  システム設計 ,  センサ ,  計測システム ,  ゲート【半導体】 ,  計算機シミュレーション
準シソーラス用語： *距離画像センサ ,  電荷変調 ,  センサ設計 ,  排出制御ゲート

分類 (2件)： 計測機器一般  (AD02000X) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

引用文献 (4件)：

• KIM, Seong-Jin. A Three-Dimensional Time-of Flight CMOS Image Sensor With Pinned-Photodiode Pixel Structure. IEEE ELECTRON DEVICE LETTER. 2010, 31, 11, 1272 -1274
• KIM, Seong-Jin. A CMOS Image Sensor Based on Unified Pixel Architecture With Time-Division Multiplexing Scheme For Color and Depth Image Acquisition. IEEE Journal of Solid-State Circuits. 2012, 47, 11, 2834-2845
• SEO, M. W. A low-noise high intrascene dynamic range CMOS image sensor with a 13 to 19b variable-resolution column-parallel folding-integration/cyclic ADC. IEEE Journal of Solid-State Circuits. 2012, 47, 1, 272-283
• SEO, M. W. A low-noise high-dynamic-range 17-b 1.3-megapixel 30-fps CMOS image sensor with column-parallel two-stage folding-integration/cyclic ADC. IEEE Trans. Electron Devices. 2012, 59, 12, 3396-3400

タイトルに関連する用語 (6件)： 排出制御 ,  電荷 ,  変調 ,  画素 ,  TOF ,  距離画像センサ