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J-GLOBAL ID：201302286369603820   整理番号：13A1856979

対称的蛇行したNiFe/Cu/NiFe薄膜センサの製作と巨大磁気インピーダンスに対する磁界方向と膜厚の影響の検討

Fabrication of symmetrical meandering NiFe/Cu/NiFe film sensors and study of the effects of field direction and film thickness on giant magnetoimpedance

著者 (5件)： WANG Tao (Shanghai Jiao Tong Univ., National Key Lab. of Sci. and Technol. on Nano/Micro Fabrication Technol., Res. Inst. of ...) ,  LEI Chong (Shanghai Jiao Tong Univ., National Key Lab. of Sci. and Technol. on Nano/Micro Fabrication Technol., Res. Inst. of ...) ,  LEI Jian (Shanghai Jiao Tong Univ., National Key Lab. of Sci. and Technol. on Nano/Micro Fabrication Technol., Res. Inst. of ...) ,  YANG Zhen (Shanghai Jiao Tong Univ., National Key Lab. of Sci. and Technol. on Nano/Micro Fabrication Technol., Res. Inst. of ...) ,  ZHOU Yong (Shanghai Jiao Tong Univ., National Key Lab. of Sci. and Technol. on Nano/Micro Fabrication Technol., Res. Inst. of ...)
資料名： Microsystem Technologies  (Microsystem Technologies)
巻： 19  号： 12  ページ： 1945-1952  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： W2056A  ISSN： 0946-7076  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 微小電気機械システム(MEMS)技術により,対照的蛇行構造のサンドイッチ構造NiFe/Cu/NiFe薄膜センサを製作し,縦方向,横方向,および垂直巨大磁気インピーダンス(GMI)効果を包括的に検討した。膜厚とGMI効果の相関性を徹底的に解析した。実験の結果,最大GMI比の交流(AC)周波数は磁気層の厚みの増加と共に徐々に減少するが,電導層は反対の傾向を示すことが分かった。NiFe層とCu層は共に,膜厚の増加と共に増加から減少のGMI比傾向を示した。縦方向,横方向および垂直方向GMI効果は共通の特性を共有した。即ち,最大GMI比のAC周波数は外部磁場強度の増加により増加した。しかし,それらの間には顕著な差がある。即ち,高いGMI比と感度は縦方向で得られた。縦方向GMI比は,CuとNiFe厚みがそれぞれ6μmと7μmで巻数が6の試料で,H_L=17Oe,f_AC=6.5MHzでピーク値191.2%に達した。Copyright 2013 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *センサ ,  薄膜 ,  *鉄合金 ,  *インピーダンス ,  巨大磁気抵抗効果 ,  磁場 ,  依存性 ,  膜厚 ,  強度 ,  蛇行 ,  MEMS
準シソーラス用語： MEMSセンサ ,  *巨大磁気インピーダンス効果 ,  磁場強度 ,  *鉄ニッケル合金 ,  *薄膜センサ ,  膜厚依存性

分類 (1件)： 磁電デバイス  (NC03100X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 蛇行 ,  Cu ,  薄膜センサ ,  製作 ,  巨大磁気インピーダンス ,  磁界 ,  膜厚