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J-GLOBAL ID：201302286440114399   整理番号：13A1323634

CuアミジナートからのCuの化学気相堆積の実験的および計算的研究

Experimental and computational investigation of chemical vapor deposition of Cu from Cu amidinate

著者 (4件)： AVIZIOTIS Ioannis G. (School of Chemical Engineering, National Technical Univ. of Athens, Zografou Campus, Athens 15780, GRC) ,  CHEIMARIOS Nikolaos (School of Chemical Engineering, National Technical Univ. of Athens, Zografou Campus, Athens 15780, GRC) ,  VAHLAS Constantin (Univ. de Toulouse, CIRIMAT, 4, allee Emile Monso, BP-44362, 31030 Toulouse Cedex 4, FRA) ,  BOUDOUVIS Andreas G. (School of Chemical Engineering, National Technical Univ. of Athens, Zografou Campus, Athens 15780, GRC)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 230  ページ： 273-278  発行年： 2013年09月15日 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 銅(I)N,N′-ジ-イソプロピルアセトアミジナート[Cu(ⁱPr-Me-amd)]₂あるいは[Cu(amd)]₂,ここでamd=CH(CH₃)₂NC(CH₃)NCH(CH₃)₂,からCuのMOCVDに対する実験と計算を行った。この前駆体の先験的選択は,主に酸素とハロゲンのない配位子でAlのような親酸素性元素の共堆積を可能にする事そして原子層堆積過程において等角な膜を与える能力により決定した。堆積温度の関数としての核発生の遅れと堆積速度および基板ホルダーの半径方向の堆積速度の変化を,垂直ワームウォールMOCVD炉中1333Paで行った堆積により実験的に決定した。[Cu(amd)]₂分解に対する最近報告された実験的結果を基に,Cu堆積に対する速度論的シナリオを提案することを目的として,質量,運動量,エネルギーおよび種の輸送方程式を基にプロセスの予測的3Dモデルを確立した。前に述べた実験結果との一致において,Cuの堆積が単一表面反応によることを明らかにした。反応律速状況におけるArrhenius型の表現と,阻止効果を考慮に入れた輸送律速状況が主となるLangmuir-Hinshelwood型の表現の堆積状況に依存して,2つの速度論的表現が与えられた。この2つの異なる速度論は表面反応機構の変化を指定する。結果は実験と計算間によい一致を示した。[Cu(amd)]₂からCuのMOCVDの相対的長所と短所を決定できるように,[Cu(amd)]₂,(hfac)Cu(VTMS)およびCu(hfac)₂から堆積したCu膜の堆積速度を比較する目的で,補足的な計算を行った。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *銅 ,  前駆体 ,  *MOCVD ,  *蒸着膜 ,  薄膜成長 ,  堆積速度 ,  同時蒸着 ,  配位子 ,  核形成 ,  分解反応 ,  反応速度 ,  表面反応 ,  Langmuir-Hinshelwood機構 ,  Arrheniusの式 ,  イミド ,  シアナミド ,  金属薄膜 ,  銅錯体
準シソーラス用語： アミジン類 ,  原子層堆積 ,  輸送方程式

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

物質索引 (1件)： N,N′-ジイソプロピルアセトアミジン

タイトルに関連する用語 (5件)： Cu ,  化学気相堆積 ,  実験 ,  計算 ,  研究