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J-GLOBAL ID：201302286546473851   整理番号：13A1567077

振幅変調を行うRFICにおけるPA-VCO間干渉の解析

著者 (5件)： 堤恒次 (三菱電機 情報技総研) ,  新庄真太郎 (三菱電機 情報技総研) ,  森一富 (三菱電機 情報技総研) ,  下沢充弘 (三菱電機 情報技総研) ,  末松憲治 (東北大 電通研)
資料名： 電子情報通信学会論文誌 C  (IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))
巻： J96-C  号： 10  ページ： 275-283  発行年： 2013年10月01日 
JST資料番号： S0623C  ISSN： 1345-2827  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： PAとVCOを1チップに内蔵したRFICにおいては,PA出力によるVCOへの干渉が問題となる。特に,送信出力の包絡線出力が時間的に大きく変化する振幅変調を行う場合や,送信出力がシングルエンド出力である場合,干渉が大きな問題となってくる。本論文では,干渉が原因で生じる振幅変調信号のスペクトル劣化を解析するため,PA-VCO間の干渉をモデル化し,PA出力電力とスペクトル劣化量の関係を定式化する。提案した解析モデルの検証を,ASK変調,ピーク出力電力13dBmの5.8GHz帯ETC用SiGe送受信RFICを用いて行ったところ,シリコン基板厚を300umから127umに薄板化することによる干渉低減が,モデルで予測されたとおり得られた。(著者抄録)

シソーラス用語： *振幅変調 ,  *マイクロ波集積回路 ,  電力増幅器 ,  VCO【発振器】 ,  信号現象 ,  劣化 ,  *電磁干渉 ,  スペクトル ,  *変調器 ,  *回路解析
準シソーラス用語： RFIC ,  *信号劣化

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  変復調回路  (NC05050F)

引用文献 (7件)：

• 馬場芳彦,秋山季夫,小西良弘, "送信機とVCOの結合によるC/N劣化の影響について," 信学技報, MW95-113, Nov. 1995.
• J.P. Comeau, L. Najafizadeh, J.M. Andrews, A.P.G. Prakash, and J.D. Cressler, "An expolation of substrate coulping at K-band between a SiGe HBT power amplifier and a SiGe HBT voltage-controlled-oscillator," Microwave and Wireless Component Letters, vol.17, no.5, pp.349-351, May 2007.
• S. Bronckers, G. Vandersteen, L.D. Locht, G. Van der Plas, and Y. Rolain, "Study of the different coupling mechanisms between a 4GHz PPA and a 5-7 GHz LC-VCO," Proc. IEEE Radio Frequency Integrated Circuit Symposium, pp.475-478, June 2008.
• N. Itoh, H. Masuoka, S. Fukase, K. Hirashiki, and M. Nagata, "Twisted inductor VCO for suppressing on-chip interferences," Proc. IEEE Asia-Pacific Microwave Conference, 2007.
• L.E. Larson, "Silicon technology tradeoffs for radio-frequency/mixed signal "system-on-a-chip"," IEEE Trans. Electron Devices, vol.50, no.3, pp.683-689, March 2003.

タイトルに関連する用語 (6件)： 振幅変調 ,  RFIC ,  PA ,  VCO ,  干渉 ,  解析