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J-GLOBAL ID：201302286641834357   整理番号：13A1589554

非晶質InGaZnO薄膜トランジスタの負ゲートバイアスおよび光照明誘起ハンプ

Negative Gate Bias and Light Illumination-Induced Hump in Amorphous InGaZnO Thin Film Transistor

著者 (7件)： JEON Jae-Hong (Korea Aerospace Univ., Goyang, KOR) ,  SEO Seung-Bum (Korea Aerospace Univ., Goyang, KOR) ,  PARK Han-Sung (Korea Aerospace Univ., Goyang, KOR) ,  CHOE Hee-Hwan (Korea Aerospace Univ., Goyang, KOR) ,  SEO Jong-Hyun (Korea Aerospace Univ., Goyang, KOR) ,  PARK Kee-Chan (Konkuk Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Sang-Hee Ko (Electronics and Telecommunication Res. Inst., Daejeon, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 13  号： 11  ページ： 7535-7539  発行年： 2013年11月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 能動層である非晶質InGaZnO層の幅がゲート/ソース電極より広いおよび狭い二種類のトップゲート型薄膜トランジスタ(TFT)を作製した。これらのTFTに-20Vのゲートバイアスと光照明のストレスを最大3600s印加した場合に,その伝達特性にはサブ閾値領域でハンプが生じる。これらのTFTの伝達特性のTFT構造やチャネル長依存性を測定し,ハンプの発生機構を考察した。バンプはチャネルの両端にチャネルと平行に形成される,多数の欠陥を含む寄生チャネルからなる寄生TFTによるものであり,バイアスと光照明のストレスによる伝達特性の負方向へのシフトが主TFTより寄生TFTの方が大きく,その差がハンプを生じると結論した。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *非晶質半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化インジウム ,  化合物半導体 ,  素子構造 ,  バイアス ,  光照射 ,  ゲート【半導体】 ,  伝送特性 ,  電流電圧特性 ,  幅
準シソーラス用語： ゲートバイアス ,  チャネル幅 ,  トップゲート型 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 非晶質 ,  トランジスタ ,  ゲートバイアス ,  照明 ,  誘起 ,  ハンプ