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J-GLOBAL ID：201302286778972390   整理番号：13A1506808

酸化ガドリニウム抵抗スイッチングメモリの保持能改良のための白金-アルミニウム合金電極

Platinum-aluminum alloy electrode for retention improvement of gadolinium oxide resistive switching memory

著者 (4件)： WANG Jer-Chyi (Chang Gung Univ., Dep. of Electronic Engineering, Kweishan, 333, Taoyuan, Taiwan) ,  JIAN De-Yuan (Chang Gung Univ., Dep. of Electronic Engineering, Kweishan, 333, Taoyuan, Taiwan) ,  YE Yu-Ren (Chang Gung Univ., Dep. of Electronic Engineering, Kweishan, 333, Taoyuan, Taiwan) ,  CHANG Li-Chun (Ming Chi Univ. of Technol., Dep. of Material Engineering and Center for Thin Film Technologies and Applications ...)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 113  号： 1  ページ： 37-40  発行年： 2013年10月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化ガドリニウム(Gd_xO_y)抵抗スイッチングメモリの保持能改良のための白金-アルミニウム(Pt-Al)合金上部電極について研究した。Pt-Al合金上部電極およびGd_xO_y界面での酸化アルミニウム(Al_xO_y)の形成により,Schottky障壁が高くなった。また,アルミニウムの取込み量が多くなると,ポストメタライゼーションアニーリング後の白金電極の結晶化が抑制された。Pt上部電極の結晶化抑制および界面での酸化アルミニウム形成によって,酸素イオンがPt粒界を通して拡散することを防ぎ,それによりGd_xO_y抵抗スイッチングメモリの保持能が向上した。Copyright 2013 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化ガドリニウム ,  *RAM【メモリ】 ,  *白金合金 ,  アルミニウム含有合金 ,  *白金電極 ,  境界層 ,  メタライゼーション ,  焼なまし ,  *Schottky障壁 ,  電子ビーム蒸着 ,  金属薄膜 ,  不揮発性メモリ ,  *スイッチング ,  *Ohm接触 ,  *MSM構造 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： *RRAM ,  *バイポーラ抵抗スイッチング ,  *抵抗スイッチング

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化ガドリニウム ,  抵抗スイッチングメモリ ,  保持能 ,  白金 ,  アルミニウム合金