InP構造上の同形In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As量子壁における電子移動度

KULBACHINSKII V. A.; LUNIN R. A.; YUZEEVA N. A.; YUZEEVA N. A.; VASIL’EVSKII I. S.; GALIEV G. B.; KLIMOV E. A.

文献

J-GLOBAL ID：201302286829432752 整理番号：13A1157928

InP構造上の同形In_0.53Ga_0.47As量子壁における電子移動度

Electron mobilities in isomorphic In_0.53Ga_0.47As quantum wells on InP substrates

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巻： 116 号： 5 ページ： 755-759 発行年： 2013年05月
JST資料番号： A1014A ISSN： 1063-7761 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：ロシア (RUS) 言語：英語 (EN)

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