文献

J-GLOBAL ID：201302286956280147   整理番号：13A1172182

6H-SiC(0001)上にコヒーレントに成長した高度に歪んだAlNの光学特性

Optical Properties of Highly Strained AlN Coherently Grown on 6H-SiC(0001)

著者 (7件)： KANEKO Mitsuaki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  OKUMURA Hironori (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  ISHII Ryota (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  FUNATO Mitsuru (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KAWAKAMI Yoichi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUDA Jun (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 6  号： 6  ページ： 062604.1-062604.4  発行年： 2013年06月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2つの異なる配置の光ルミネセンスと光反射率の測定により,大きい圧縮歪下にあるウルツ鉱型AlNの光学特性を調べた。AlN層は6H-SiC(0001)上にコヒーレントに成長し,ε_XX=ε_YY=9.6×10^-3,ε_ZZ=5.12×10^-3の歪が生じたことを高分解能X線回折により確かめた。自由励起子遷移が明瞭に観測された。A自由励起子(Γ₁対称性の)の遷移エネルギーは10Kで6.246eVと評価した。歪んでいないAlNの遷移に比べて自由励起子遷移の大きいエネルギーシフトはAlNで報告されている変形ポテンシャルによってうまく説明された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  ポリタイプ ,  化合物半導体 ,  *窒化アルミニウム ,  *光ルミネセンス ,  反射率 ,  歪 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  X線回折 ,  格子歪 ,  励起子 ,  電子遷移 ,  遷移エネルギー ,  変形ポテンシャル ,  MBE成長 ,  紫外スペクトル
準シソーラス用語： 圧縮歪 ,  *光反射率 ,  *自由励起子

分類 (3件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体の可視・紫外スペクトル  (BM08083Y) ,  励起子  (BM02120E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 6H-SiC ,  コヒーレント ,  成長 ,  AlN ,  光学特性