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J-GLOBAL ID：201302287072866926   整理番号：13A1418586

ZnO圧電微細線ゲート酸化グラフェン電界効果トランジスタ

ZnO Piezoelectric Fine Wire Gated Graphene Oxide Field Effect Transistor

著者 (4件)： MOHAN Rajneesh (Jeju National Univ., Jeju, KOR) ,  KRISHNAMOORTHY Karthikeyan (Jeju National Univ., Jeju, KOR) ,  KIM Gui-Sik (Jeju National Univ., Jeju, KOR) ,  KIM Sang-Jae (Jeju National Univ., Jeju, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 13  号： 5  ページ： 3573-3576  発行年： 2013年05月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnO微細線の圧電効果を利用して電流制御を行う酸化グラフェン(GO)電界効果トランジスタを製作し,その特性を調べた。このデバイスはフレキシブル基板上の底部GO薄膜,頂部ZnO圧電微細線(PFW),及びソース/ドレイン電極からなる。GOはキャリア輸送チャンネルとして,PFWはゲートとして作用する。基板を曲げるとPFWに生じた歪により圧電ポテンシャルが生成され,これがゲート電圧として働いて,GOチャンネルのキャリア輸送特性,即ち電流電圧特性が変化することが実証された。GOのみに歪を与えても電流電圧特性は変化しなかった。こうしてZnO-PFWが電極と電源を要せずに歪のみで動作するゲートとして役立ち,新しい応用を開き得ることが示された。

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *圧電気 ,  電流制御 ,  *ゲート【半導体】 ,  細線 ,  *酸化物 ,  *炭素材 ,  *FET【トランジスタ】 ,  フレキシブル基板 ,  電流電圧特性 ,  ホイスカ ,  表面構造 ,  モルフォロジー
準シソーラス用語： *酸化グラフェン ,  表面モルフォロジー

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： ZnO ,  圧電 ,  微細 ,  ゲート ,  酸化グラフェン ,  電界効果トランジスタ