金属基板上の非晶質シリコンのエキシマレーザ結晶化

DELACHAT F.; ANTONI F.; SLAOUI A.; CAYRON C.; DUCROS C.; LERAT J.-F.; EMERAUD T.; NEGRU R.; HUET K.; REYDET P.-L.

文献

J-GLOBAL ID：201302287080900920 整理番号：13A0895835

金属基板上の非晶質シリコンのエキシマレーザ結晶化

Excimer laser crystallization of amorphous silicon on metallic substrate

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資料名：
巻： 111 号： 3 ページ： 807-812 発行年： 2013年06月
JST資料番号： D0256C ISSN： 0947-8396 CODEN： APHYCC 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

長いパルス幅のエキシマレーザ処理による金属箔上のシリコン薄膜の結晶化を達成することを試みた。非晶質シリコン薄膜(100nm)は窒化タンタル(TaN)層で被覆した市販の金属合金(41%のNiからなるN42-FeNi)上への無線周波数マグネトロンスパッタリングで堆積した。TaN被覆はレーザアニーリング中のシリコン薄膜への金属不純物の拡散を防止する障壁層として作用する。レーザ誘起相転移の数値シミュレーションで非晶質シリコンの表面の融解と結晶化に必要なエネルギー密度閾値を0.3Jcm^-2と予測し,Raman解析で立証した。このフルエンスを超えると,メルトの深さがエネルギー密度の増強と共に増加した。層の完全な結晶化はエネルギー密度0.9Jcm^-2で達成した。走査電子顕微鏡はレーザ照射後のシリコンのナノ構造化を明らかにし,断面透過電子顕微鏡は結晶の柱状成長を示した。Copyright 2013 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.

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半導体薄膜 , レーザ照射・損傷

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