文献

J-GLOBAL ID：201302287304547890   整理番号：13A0758048

超薄シリコンにおけるフォトニックバンドエッジ効果による光電流の増加

Photocurrent Enhancement in Ultrathin Silicon by the Photonic Band-Edge Effect

著者 (8件)： FUJITA Masayuki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  FUJITA Masayuki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SHIGETA Hiroaki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  TANAKA Yoshinori (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  OSKOOI Ardavan (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  OGAWA Hiroyuki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  TSUDA Yusuke (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NODA Susumu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Annual Meeting of the IEEE Photonics Society  (Annual Meeting of the IEEE Photonics Society)
巻： 2012  ページ： 124-125  発行年： 2012年 
JST資料番号： T0931A  ISSN： 1092-8081  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 円形空気穴の正方格子でできた二次元フォトニック結晶(PC)を超薄固有ポリシリコン光電変換層上の誘電体層にパターン化し,光検出装置の超薄活性層に導入すると光電変換効率が大きく改善される。特定の波長において,フォトニックバンドエッジモードと材料吸収の間の良好なQマッチングの結果として,PCサンプルの光電流がパターン化していないPCサンプルと比較して約20倍増加した。光起電素子の効率を極めて高くすることが可能となる。

シソーラス用語： 光検出器 ,  *結晶 ,  二次元 ,  円孔 ,  正方格子 ,  *バンド構造 ,  ポリシリコン ,  半導体薄膜 ,  超薄膜 ,  活性層 ,  *光電流 ,  効率 ,  光起電素子 ,  フォトニックバンドギャップ ,  Q値 ,  *フォトニック結晶
準シソーラス用語： *フォトニックバンド構造 ,  光電変換効率

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  フォトニックバンド ,  エッジ効果 ,  光電流