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J-GLOBAL ID：201302287428282150   整理番号：13A1271894

GaN成長時の転位屈曲におよぼす反応器化学と圧縮応力の相乗的影響

Synergistic effect of reactor chemistry and compressive stress on dislocation bending during GaN growth

著者 (3件)： NAGABOOPATHY Mohan (Materials Res. Centre, Indian Inst. of Sci., Bangalore-560012, IND) ,  RAVISHANKAR Narayanan (Materials Res. Centre, Indian Inst. of Sci., Bangalore-560012, IND) ,  RAGHAVAN Srinivasan (Materials Res. Centre, Indian Inst. of Sci., Bangalore-560012, IND)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 103  号： 4  ページ： 041912-041912-5  発行年： 2013年07月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *転位【結晶】 ,  圧縮応力 ,  シラン ,  反応器 ,  化学反応

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  成長 ,  転位 ,  屈曲 ,  反応器 ,  化学 ,  圧縮応力