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J-GLOBAL ID：201302287545347778   整理番号：13A1466138

粉末ターゲットを用いて無線周波スパッタリングから製作した酸化インジウムすず薄膜の特性に及ぼすスッパタリング電力とアニール温度の効果

Effect of sputtering power and annealing temperature on the properties of indium tin oxide thin films prepared from radio frequency sputtering using powder target

著者 (3件)： ZHU Guisheng (Shaanxi Normal Univ., School of Materials Sci. and Engineering, 710062, Xian, People’s Republic of China) ,  ZHU Guisheng (Guilin Univ. of Electronic Technol., Guangxi Key Lab. of Information Materials, 541004, Guilin, People’s Republic ...) ,  YANG Zupei (Shaanxi Normal Univ., School of Materials Sci. and Engineering, 710062, Xian, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 24  号： 10  ページ： 3646-3651  発行年： 2013年10月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温で粉末ターゲットを用いて種々のRF電力(100~200W)で無線周波(RF)スパッタリングにより,酸化インジウムすず(ITO)薄膜を石英基板上に堆積した。それらの構造的,電気的および光学的特性に及ぼすスパッタリング電力の効果を系統的に調べた。その膜が(222)優先配向をもっていても,スッパタリング電力の増加とともに,(400)配向の強度が明らかに増加した。スパッタリング電力を増加することは低い抵抗率と透過率にメリットをもたらす。その膜を種々の温度(500~800°C)でアニールしてから,それらの電子-光学的および構造的特性と温度との間の関係を調べた。アニールした膜は(400)配向をもつ傾向にあり,低い抵抗率と透過率を示すことが観察された。700°Cのアニール温度と200Wのスパッタリング電力で粉末ターゲットを用いてRFスパッタリングにより製作したITO薄膜は,2.08×10^-4Ωcmの抵抗率と透明導電層に特化する83.2%の透過率を示した。Copyright 2013 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 粉体 ,  ターゲット ,  RFスパッタリング ,  *化合物半導体 ,  酸化物 ,  *透明導電膜 ,  アニーリング【現象】 ,  *焼なまし ,  *薄膜成長 ,  優先配向 ,  電気抵抗率 ,  微細構造 ,  温度依存性 ,  電子構造
準シソーラス用語： 透明導電性酸化物

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (8件)： 粉末 ,  ターゲット ,  無線 ,  スパッタリング ,  製作 ,  酸化インジウムすず ,  薄膜 ,  アニール温度