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J-GLOBAL ID：201302287917877647   整理番号：13A0308430

スピン-オン水素シルセスキオキサン前駆体を用いて酸化ケイ素系抵抗メモリーデバイスを開発

Development of a silicon oxide-based resistive memory device using a spin-on hydrogen silsesquioxane precursor

著者 (4件)： RICE Zachary P. (State Univ. New York, New York) ,  BRIGGS Benjamin D. (State Univ. New York, New York) ,  BISHOP Seann M. (State Univ. New York, New York) ,  CADY Nathaniel C. (State Univ. New York, New York)
資料名： Journal of Materials Research  (Journal of Materials Research)
巻： 27  号： 24  ページ： 3110-3116  発行年： 2012年12月28日 
JST資料番号： D0987B  ISSN： 0884-2914  CODEN： JMREEE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗メモリーデバイス(RMDs)は次世代の不揮発メモリー用デバイスである。RMDのSiO_xを合成する新しい前駆体として,電子線ネガレジスト材料として最も一般的な水素シルセスキオキサン(HSQ)の利用について検討した。HSQ系SiO_xから作製したデバイスの可能性を示すため,100μmから48nmまでのサイズのスイッチング特性を示すRMDSを作製した。セットとリセット電圧は一般に5V以下であり,10¹~10²の抵抗比が得られた。スイッチング特性はデバイスサイズに依存しなかった。HSQ系のスイッチング特性を示すRMDs開発の基礎を確立した。

シソーラス用語： *酸化ケイ素 ,  *記憶素子 ,  *有機ケイ素化合物 ,  水素化 ,  不揮発性メモリ ,  レジスト ,  特性 ,  スイッチング ,  パターン形成
準シソーラス用語： *シルセスキオキサン ,  スイッチング特性 ,  ネガレジスト ,  *抵抗記憶素子 ,  電子線ネガレジスト

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： スピン ,  水素シルセスキオキサン ,  前駆体 ,  酸化ケイ素 ,  メモリーデバイス ,  開発