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J-GLOBAL ID：201302287940626120   整理番号：13A0028623

SiO₂薄膜における3種の抵抗値状態のスイッチング動作

Tristate Operation in Resistive Switching of SiO₂ Thin Films

著者 (8件)： CHEN Yen-Ting (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  FOWLER Burt (PrivaTran, LLC, TX, USA) ,  WANG Yanzhen (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  XUE Fei (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  ZHOU Fei (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  CHANG Yao-Feng (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  CHEN Pai-Yu (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  LEE Jack C. (Univ. Texas at Austin, TX, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 12  ページ： 1702-1704  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代不揮発性メモリとして有望な抵抗変化型メモリ(RRAM)の抵抗スイッチング材料としてシリコン酸化物が注目されているが,高抵抗状態(HRS)における電流の変動が大きいなどの問題がある。本報では,この問題解決とともに記憶保持特性のさらなる向上を目指して,抵抗スイッチング層に薄いSi層を加えることを試みている。TaN/SiO₂/n-Si構造のRRAM素子におけるSiO₂側壁にSiのクラスタ状の不連続膜を形成し,エレクトロフォーミング電圧(V_EF),電流-電圧(I-V)特性,繰り返しスイッチングにともなう抵抗変化を測定し,次の結果を得た。(1)側壁のSi膜の効果によってV_EFが大幅に低下するとともに,HRSにおける電流変動を低減できる。(2)このSi膜はSiO₂内部における均一な導電性フィラメントの形成を促進し,その結果従来のHRSおよび低抵抗状態(LRS)に加えて中間抵抗状態(MRS)もスイッチングに利用できるようになり,3段階の抵抗値のメモリ機能を得ることができる。(3)この3段階の抵抗スイッチングRRAMは10⁶回の書き込み/消去のくり返し後にも抵抗値が大きく変動することはない。以上の結果から,今回提案の抵抗スイッチング材料は次世代のRRAM用材料として期待できることがわかった。

シソーラス用語： RAM【メモリ】 ,  スイッチング ,  *酸化ケイ素 ,  *電流変動 ,  半導体薄膜 ,  *抵抗スイッチング ,  *抵抗変化メモリ ,  *シリコン薄膜
準シソーラス用語： *RRAM ,  *ケイ素薄膜

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiO2 ,  薄膜 ,  スイッチング