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J-GLOBAL ID：201302288116123388   整理番号：13A1513837

AlGaN/GaNと金属との反応による二次元電子ガス濃度と移動度の増加

On the enhanced 2DEG density and mobility in AlGaN/GaN heterostructures by the reaction with metals

著者 (3件)： 徳田博邦 (福井大 工) ,  小島敏和 (福井大 工) ,  葛原正明 (福井大 工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113  号： 176(ED2013 37-49)  ページ： 25-28  発行年： 2013年08月01日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： AlGaN/GaNヘテロ接合にTi/Al,Ti/Au,V/Au,Ni/Auを蒸着し,2DEG電子濃度(n_s)と移動度(μ)の温度依存性を調べた。n_sは温度の増加とともにある温度で急激な増加を示し,μはn_sが増加するその温度でhumpを示した。これは,下地金属(Ti,V,Ni)とAlGaN層との反応が始まることに対応している。熱処理後の室温でのn_sはTi/Alでは1桁以上増加し,またμも70%以上増加した。一方他の金属ではn_s,μともにほとんど増加が見られなかった。この結果はn_s,μの増加においてAlが重要な役割をはたしていることを示している。(著者抄録)

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *二次元電子ガス ,  Hall効果 ,  熱処理 ,  アルミニウム ,  窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  *濃度 ,  *キャリア移動度 ,  チタン ,  金 ,  バナジウム ,  ニッケル ,  温度依存性
準シソーラス用語： 窒化ガリウムアルミニウム ,  *電子濃度 ,  *電子移動度

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (4件)： AlGaN ,  GaN ,  二次元電子ガス ,  移動度