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J-GLOBAL ID：201302288266341570   整理番号：13A1155753

Co基フルホイスラー合金を用いた半導体への高効率スピン注入

High spin injection efficiency into semiconductor by using Co based Heusler alloys

著者 (1件)： 手束展規 (東北大 大学院工学研究科)
資料名： 旭硝子財団助成成果報告書(Web)
巻： 2012  ページ： NO.56 (WEB ONLY)  発行年： 2012年 
JST資料番号： U0002A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 情報機器・デバイスの高性能化のために,新規スピントロニクスデバイスの開発が進められており,室温で半導体に高効率でスピン注入することが求められている。本研究では,強磁性体から半導体中への高効率スピン注入の実現を目指し,Co₂Fe(Al,Si)合金とGaAsを用いた素子を作製し,GaAs中へのスピン注入を行い,構造が電気伝導特性・スピン注入におよぼす影響について調べる。Co₂Fe(Al,Si)/MgO/n-GaAs/MgO/Co₂Fe(Al,Si)素子および面内スピンバルブ型の素子において,磁気抵抗比が観測され,n-GaAsへのスピン注入に成功した。また,ハンル効果を用いたスピン注入の評価により,Co₂Fe(Al,Si)の作製温度,GaAsのドープ量がスピン注入効率に影響することが明らかとなった。(著者抄録)

シソーラス用語： *ホイスラー合金 ,  コバルト合金 ,  鉄含有合金 ,  アルミニウム含有合金 ,  ケイ素含有合金 ,  強磁性体 ,  *ヒ化ガリウム ,  *注入 ,  素子構造 ,  効果 ,  磁気抵抗効果 ,  スピントロニクス ,  温度依存性 ,  電流電圧特性 ,  半導体金属接合 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： Hanle効果 ,  Schottky接合 ,  スピンバルブ ,  *スピン注入

分類 (2件)： 金属結晶の電子伝導  (BM03033M) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

引用文献 (5件)：

• [1] N. Tezuka, N. Ikeda, F. Mitsuhashi, and S. Sugimoto, 2009. Appl. Phys Lett., 94 : 162504.
• [2] N. Tezuka, F. Mitsuhashi, S. Sugimoto, 2011. Journal of Physics: Conference Series 266: 012109.
• [3] S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 1981. 2nd ed. New York: Wiley.
• [4] H. Kurebayashi, S. J. Steinmuller, J. B. Laloe, T. Trypiniotis, S. Easton, A. Lonescu, J. R. Yates and J. A. C. Bland, 2007. Appl. Phys Lett., 91 : 102114
• [5] Tatsuya Saito, Nobuki Tezuka, and Satoshi Sugimoto, 2011. IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 47 : 2447.

タイトルに関連する用語 (4件)： CO基 ,  フルホイスラー合金 ,  高効率 ,  スピン注入