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J-GLOBAL ID：200902212750780201   整理番号：09A0429360

分子ビームエピタクシーにより作製したホイスラーCo₂FeAl_0.5Si_0.5電極による磁気トンネル接合の向上したトンネル磁気抵抗

Improved tunnel magnetoresistance of magnetic tunnel junctions with Heusler Co₂FeAl_0.5Si_0.5 electrodes fabricated by molecular beam epitaxy

著者 (4件)： TEZUKA N. (Dep. of Materials Sci., Graduate School of Engineering, Tohoku Univ., Aobayama 6-6-02, Sendai 980-8579, JPN) ,  IKEDA N. (Dep. of Materials Sci., Graduate School of Engineering, Tohoku Univ., Aobayama 6-6-02, Sendai 980-8579, JPN) ,  MITSUHASHI F. (Dep. of Materials Sci., Graduate School of Engineering, Tohoku Univ., Aobayama 6-6-02, Sendai 980-8579, JPN) ,  SUGIMOTO S. (Dep. of Materials Sci., Graduate School of Engineering, Tohoku Univ., Aobayama 6-6-02, Sendai 980-8579, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 94  号： 16  ページ： 162504  発行年： 2009年04月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子ビームエピタクシーにより作製したCo₂FeAl_0.5Si_0.5電極及びMgOバリアによる磁気トンネル接合を開発し,このデバイスにより約300Kで386%及び9Kで832%のトンネル磁気抵抗比を観測した。下部Co₂FeAl_0.5Si_0.5電極を堆積する際及び後にアニールすると,粗さが少なく高秩序構造になる。アニール温度が低温でもこの高秩序構造が得られる。さらに,開発した磁気トンネル接合でトンネル磁気抵抗比の弱い温度依存性が観測された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ホイスラー合金 ,  強磁性体 ,  *コバルト合金 ,  鉄含有合金 ,  アルミニウム含有合金 ,  ケイ素含有合金 ,  被覆層 ,  酸化マグネシウム ,  MBE成長 ,  *トンネル接合 ,  *磁気抵抗効果 ,  温度依存性 ,  焼なまし ,  構造 ,  *磁性薄膜
準シソーラス用語： アニール ,  *トンネル磁気抵抗 ,  バリア層 ,  *磁気トンネル接合 ,  秩序構造

分類 (3件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子ビームエピタクシー ,  作製 ,  ホイスラー ,  磁気トンネル接合 ,  トンネル磁気抵抗