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J-GLOBAL ID：201302288369284051   整理番号：13A0759018

急勾配のサブスレショルド傾きを有するゲートオールアラウンド単結晶のようなポリシリコンナノワイヤTFT

Gate-All-Around Single-Crystal-Like Poly-Si Nanowire TFTs With a Steep-Subthreshold Slope

著者 (3件)： LIU Tung-Yu (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LO Shen-Chuan (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  SHEU Jeng-Tzong (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 34  号： 4  ページ： 523-525  発行年： 2013年04月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新規な修正側壁スペーサ工程を用いて調製したゲートオールアラウンド(GAA)単結晶のような(SLC)ポリシリコンナノワイヤ(NW)の薄膜トランジスタ(TFT)の特性評価を行った。NWチャネルは固相結晶化工程後にSLC構造を示した。トラップ削減のためのプラズマ処理無しに,高い表面積対体積率と0.25μmのゲート長のチャネルを保有するGAAのSLCのNWのTFTが優れたチャネル制御性と短チャネル効果を抑制する能力を示した。非常に小さいチャネルとゲート領域下での粒界と欠陥の減少のために,TFTは,比較的低い電圧条件(V_G=3V,V_D=1V)で優れたサブスレショルド(90±15mV/dec),非常に小さいドレイン誘導障壁低下(21±13mV/V)および高いオン/オフ電流比(~10⁷)を示した。

シソーラス用語： 閾値 ,  *素子構造 ,  単結晶 ,  ポリシリコン ,  *ナノワイヤ ,  *薄膜トランジスタ ,  キャラクタリゼーション ,  長さ ,  短チャネル効果 ,  チャネル ,  比率
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  *ゲートオールアラウンド構造 ,  ゲート長 ,  サブスレショルド ,  障壁低下効果 ,  特性評価

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 急勾配 ,  サブスレショルド ,  傾き ,  ゲートオールアラウンド ,  単結晶 ,  シリコンナノワイヤ ,  TFT