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J-GLOBAL ID：201302288415351273   整理番号：13A1283194

歪緩和InGaAs障壁中に埋込んだErドープInAs量子ドット中の超高速光キャリア緩和過程

Ultrafast photocarrier relaxation processes in Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs barriers

著者 (4件)： KITADA Takahiro (Center for Frontier Res. of Engineering, Inst. of Technol. and Sci., The Univ. of Tokushima, Tokushima 770-8506, JPN) ,  UEYAMA Hyuga (Center for Frontier Res. of Engineering, Inst. of Technol. and Sci., The Univ. of Tokushima, Tokushima 770-8506, JPN) ,  MORITA Ken (Center for Frontier Res. of Engineering, Inst. of Technol. and Sci., The Univ. of Tokushima, Tokushima 770-8506, JPN) ,  ISU Toshiro (Center for Frontier Res. of Engineering, Inst. of Technol. and Sci., The Univ. of Tokushima, Tokushima 770-8506, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 378  ページ： 485-488  発行年： 2013年09月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪緩和In_0.45Ga_0.55As障壁中に埋込んだErドープInAs量子ドットの時間分解した透過変化を異なる励起波長(1.4~1.55μm)で調べ,光キャリア緩和の量子ドット粒径依存性を検討した。測定した時間プロファイルは三種類の指数減衰の和で良く再現された。超高速(約1.6ps)及び高速(約6~9ps)成分は減衰の初期段階で優勢で,低速(約70~130ps)成分は量子ドットの放射再結合に起因した。最初の二成分はErドーパント又は格子緩和に関係する非放射中心への光キャリア緩和に起因する。他の場合の減衰時間は励起波長が短くなると共に短くなり,これは小さい量子ドット中の光キャリアの弱い閉込めに起因すると思われる。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  *量子ドット ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *緩和現象 ,  構造緩和 ,  減衰時間 ,  ドーピング ,  エルビウム ,  キャリア ,  経時変化
準シソーラス用語： *キャリア緩和 ,  格子緩和 ,  光キャリア ,  *半導体量子ドット

分類 (1件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (9件)： 歪緩和 ,  InGaAs ,  障壁 ,  埋込 ,  Er ,  ドープ ,  InAs量子ドット ,  光キャリア ,  緩和過程