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J-GLOBAL ID:201302288644540039   整理番号:13A1629526

シリコン豊富酸化物(SiO1/3)のリチウム化挙動 第一原理研究

Lithiation Behavior of Silicon-Rich Oxide (SiO1/3): A First-Principles Study
著者 (2件):
資料名:
巻: 25  号: 17  ページ: 3435-3440  発行年: 2013年09月10日 
JST資料番号: T0893A  ISSN: 0897-4756  CODEN: CMATEX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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シリコン部分酸化物(SiO<sub>x</sub>,x<2)は酸素含有率が低いときに特にリチウムイオンバッテリー用アノード材料として優れた性能を示すことが知られている。原子レベルでこの特性の原因を探ることを目的として密度汎関数理論による第一原理計算を用いてα-SiO<sub>1/3</sub>のリチウム化挙動を検討した。リチウム化の進行に伴いLi原子がSi原子とO原子とによって受け入れられるとα-SiO<sub>1/3</sub>ホストマトリックスは次第に分解した。Si-Liの配位数は約10まで単調増加したが,O-Liの配位数は約6で飽和し,O<sub>h</sub>対称性を有するLi<sub>6</sub>O錯体の形成が示唆された。
シソーラス用語:
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分類 (3件):
分類
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電極過程  ,  非金属化合物  ,  二次電池 

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