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J-GLOBAL ID：201302288731320665   整理番号：13A0352264

12kV,100A 4H-SiC光トリガサイリスタにおける保持電流とスイッチオンメカニズム

Holding current and switch-on mechanism in 12kV, 100A 4H-SiC optically triggered thyristors

著者 (10件)： LEVINSHTEIN M E (Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS) ,  RUMYANTSEV S L (Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS) ,  RUMYANTSEV S L (Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA) ,  SHUR M S (Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA) ,  MNATSAKANOV T T (All-Russia Electrotechnical Inst., Moscow, RUS) ,  YURKOV S N (All-Russia Electrotechnical Inst., Moscow, RUS) ,  ZHANG Q J (CREE Inc., NC, USA) ,  AGARWAL A K (CREE Inc., NC, USA) ,  CHENG L (CREE Inc., NC, USA) ,  PALMOUR J W (CREE Inc., NC, USA)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 28  号： 1  ページ： 015008,1-5  発行年： 2013年01月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  信号 ,  始動 ,  *サイリスタ ,  *スイッチング ,  アノード ,  カソード ,  レーザパルス ,  電流電圧特性 ,  温度依存性 ,  エミッタ【半導体】
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  トリガ ,  *光サイリスタ

分類 (1件)： サイリスタ  (NC03060C)

タイトルに関連する用語 (3件)： 4H-SiC ,  スイッチオン ,  メカニズム