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J-GLOBAL ID：201302288790310126   整理番号：13A1300829

アリルジアゾニウム塩の自発的還元によるSiGe誘導体化

SiGe derivatization by spontaneous reduction of aryl diazonium salts

著者 (5件)： GIRARD A. (UMR-CNRS 6164, IETR, Univ. de Rennes 1, Campus de Beaulieu, 35042 Rennes Cedex, FRA) ,  GENESTE F. (UMR-CNRS 6226, Inst. des Sciences Chimiques de Rennes, Equipe MaCSE, Univ. de Rennes 1, Campus de Beaulieu, 35042 ...) ,  COULON N. (UMR-CNRS 6164, IETR, Univ. de Rennes 1, Campus de Beaulieu, 35042 Rennes Cedex, FRA) ,  CARDINAUD C. (UMR-CNRS 6502, Inst. des Materiaux Jean Rouxel Univ. de Nantes, 2 rue de la Houssiniere, BP32229, F-44322 Nantes ...) ,  MOHAMMED-BRAHIM T. (UMR-CNRS 6164, IETR, Univ. de Rennes 1, Campus de Beaulieu, 35042 Rennes Cedex, FRA)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 282  ページ： 146-155  発行年： 2013年10月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲルマニウム半導体はFETベースのバイオセンサ応用にとって興味深い特性,すなわち,小表面積上に多量のレセプタを固定することができる高表面粗さを有している。本報では,Siの低価格とGeの高キャリア移動度特性を併せ持つSiGeに焦点を絞った。ジアゾニウム塩の自発還元による官能化プロセスの効率比較をSi(100),SiGe,Ge半導体において行った。官能化表面のXPS分析によって,全基板上に共有グラフト層が存在することを明らかにし,AFMにより確認した。興味深いことに,改質されたGe誘導体は誘導体生成後に表面粗さがさらに増加した。XPSによって推定された厚さを裏付けるために,有機層のステップ測定をAFMまたは粗面計法で官能化層のO₂プラズマエッチング後に行った。SiGe基板がSiおよびGe半導体に比して高い化学的グラフト化を示すことが確認された。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素合金 ,  *ゲルマニウム含有合金 ,  化合物半導体 ,  基板 ,  ケイ素 ,  ゲルマニウム ,  *官能化 ,  *カチオン ,  *ジアゾ化合物 ,  誘導体化 ,  表面粗さ ,  化学修飾 ,  還元 ,  X線光電子スペクトル ,  原子間力顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  *プラズマエッチング ,  グラフト化【化学修飾】
準シソーラス用語： *ジアゾニウム塩 ,  グラフト化

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体の表面構造  (BK15030A) ,  芳香族単環ヒドロキシルアミン及びヒドラジンその他の芳香族単環多窒素直結化合物  (CF05060O)

物質索引 (1件)： 4-カルボキシベンゼンジアゾニウム

タイトルに関連する用語 (5件)： アリル ,  ジアゾニウム塩 ,  還元 ,  SiGe ,  誘導体化