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J-GLOBAL ID：201302289014284219   整理番号：13A0097577

トータルドーズ照射下のサブ40nm NANDフラッシュメモリの劣化

Degradation of Sub 40-nm NAND Flash Memories Under Total Dose Irradiation

著者 (4件)： GERARDIN Simone (Universita di Padova, Padua, ITA) ,  BAGATIN Marta (INFN-Sezione di Padova, Padua, ITA) ,  PACCAGNELLA Alessandro (INFN-Sezione di Padova, Padua, ITA) ,  FERLET-CAVROIS Veronique (ESA/ESTEC, Noordwijk, NLD)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 59  号： 6,Pt.1  ページ： 2952-2958  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 先進のマルチレベルとシングルレベルのNANDフラッシュメモリにおけるトータルドーズ効果を調べた。保持故障と機能故障を論じ,フローティングゲートセルと周辺回路の役割を前世代と比較して分析した。これら素子では,すべてのプログラムレベルに保持誤差が現れることが分った。最悪の場合の試験条件の指針を示した。

シソーラス用語： フラッシュメモリ ,  照射線量 ,  *吸収線量 ,  フローティングゲート ,  コバルト60 ,  *γ線照射 ,  保持
準シソーラス用語： *NANDフラッシュメモリ ,  データ保持

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： サブ ,  NANDフラッシュメモリ