ALD処理Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜層における漏れ電流の領域

SPAHR Holger; REINKER Johannes; BUELOW Tim; NANOVA Diana; JOHANNES Hans-Hermann; KOWALSKY Wolfgang

文献

J-GLOBAL ID：201302289215252870 整理番号：13A0829282

ALD処理Al₂O₃薄膜層における漏れ電流の領域

Regimes of leakage current in ALD-processed Al₂O₃ thin-film layers

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資料名：
巻： 46 号： 15 ページ： 155302,1-5 発行年： 2013年04月17日
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPBE 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

酸化膜の厚さを非常に薄くしていくと,破壊強度と呼ばれる破壊電場が次第に増加していく現象が最近発見された。本論文では,この現象を利用して,原子層堆積(ALD)により作製した約40nm以下の厚さのAl₂O₃酸化薄膜について高電場での電流電場特性を調べた。特に,トラップフリー2乗則の漏れ電流領域の同定,および,S字型電流電場特性曲線の成長過程に焦点を当てた研究を行った。さらに,空間電荷制限電流を考慮したモデルを使って,S字型電流電場特性曲線をフィットし,移動度,電子状態密度,伝導バンドとトラップ状態間のエネルギーバンドギャップなどの物質パラメータを抽出することに成功した。

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金属-絶縁体-半導体構造

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ALD処理Al2O3薄膜層における漏れ電流の領域

ALD処理Al₂O₃薄膜層における漏れ電流の領域