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J-GLOBAL ID：201302290126678447   整理番号：13A1052781

RFスパッタによるZnSnN₂の構造およびオプトエレクトロニックキャラクタリゼーション

Structural and Optoelectronic Characterization of RF Sputtered ZnSnN₂

著者 (6件)： LAHOURCADE Lise (California Inst. Technol., CA, USA) ,  CORONEL Naomi C. (California Inst. Technol., CA, USA) ,  DELANEY Kris T. (Univ. California, CA, USA) ,  SHUKLA Sujeet K. (California Inst. Technol., CA, USA) ,  SPALDIN Nicola A. (ETH Zurich, Zurich, CHE) ,  ATWATER Harry A. (California Inst. Technol., CA, USA)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 25  号： 18  ページ： 2562-2566  発行年： 2013年05月14日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 亜鉛-スズターゲットのアルゴン/窒素中におけるスパッタリングによりZnSnN₂薄膜を形成した。X線回折,エネルギー分散X線分光分析,偏光解析によりキャラクタリゼーションを行った。PBEレベルの密度汎関数法計算によるバンドギャップは1.42eVであった。分光偏光解析の外挿による光学バンドギャップは2.0eVであり,両者の違いをBurstein-Moss効果により説明した。

シソーラス用語： *亜鉛化合物 ,  *スズ化合物 ,  *窒化物 ,  RFスパッタリング ,  X線回折 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  偏光解析法 ,  密度汎関数法 ,  *光学ギャップ ,  *バンドギャップ ,  スペクトルシフト ,  伝導バンド ,  *薄膜
準シソーラス用語： Burstein-Mossシフト ,  光学バンドギャップ ,  偏光解析

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体の可視・紫外スペクトル  (BM08083Y) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (1件)： RFスパッタ