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J-GLOBAL ID：201302290471604375   整理番号：13A0983571

四成分カルコゲン化物Ag₂In₂Ge(Si)S₆単結晶の電子構造とSiによるGe置換の影響X線光電子分光法およびX線回折実験研究と理論計算

Electronic Structure of Quaternary Chalcogenide Ag₂In₂Ge(Si)S₆ Single Crystals and the Influence of Replacing Ge by Si: Experimental X-Ray Photoelectron Spectroscopy and X-Ray Diffraction Studies and Theoretical Calculations

著者 (9件)： RESHAK A.H. (Univ. South Bohemia in CB, Nove Hrady, CZE) ,  RESHAK A.H. (Malaysia Univ. Perlis, Perlis, MYS) ,  KHYZHUN O.Y. (Inst. for Problems of Materials Sci., National Acad. of Sci. of Ukraine, Kyiv, UKR) ,  KITYK I.V. (Czestochowa Univ. Technol., Czestochowa, POL) ,  KITYK I.V. (Eastern European National Univ., Lutsk, UKR) ,  FEDORCHUK A.O. (Lviv National Univ. Veterinary Medicine and Biotechnologies, Lviv, UKR) ,  KAMARUDIN H. (Malaysia Univ. Perlis, Perlis, MYS) ,  AULUCK S. (Council of Scientific and Industrial Res.-National Physical Lab., New Delhi, IND) ,  PARASYUK O.V. (Eastern European National Univ., Lutsk, UKR)
資料名： Science of Advanced Materials  (Science of Advanced Materials)
巻： 5  号： 4  ページ： 316-327  発行年： 2013年04月 
JST資料番号： W2374A  ISSN： 1947-2935  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ag₂In₂Ge(Si)S₆化合物の電子構造に関する包括的研究は未だなされていない。このため,最先端FP-LAPWにより,電子バンド構造,原子的部位分解状態密度および化学結合の性質を調べ,価電子バンドX線光電子法による測定値と比較した。交換相関ポテンシャルでは各種近似法(LDA,GGA,EV-GGA,修正Becke-Johnson(mBJ))を比較した。Ag₂In₂Ge(Si)S₆単結晶のX線回折データを理論計算に入力した。SiによるGeの置換により,S原子の環境が大きく変化した。mBJによるエネルギーギャップは測定値に最も近かった。Ag₂In₂SiS₆とAg₂In₂Ge(Si)S₆のエネルギーギャップはほぼ同一であった。SiによるGeの置換では,伝導バンドがFermiエネルギーから離れたが,価電子バンドはほぼ変化しなかった。

シソーラス用語： X線光電子分光法 ,  *APW法 ,  バンド構造 ,  X線回折 ,  単結晶 ,  *硫化物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *ケイ素化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *銀化合物 ,  *電子構造 ,  エネルギーギャップ ,  結晶構造 ,  状態密度
準シソーラス用語： *FP-LAPW ,  電子バンド構造

分類 (1件)： 分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (11件)： カルコゲン化物 ,  Si ,  単結晶 ,  電子構造 ,  Ge ,  置換 ,  X線光電子分光法 ,  X線回折 ,  実験 ,  研究 ,  理論計算