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J-GLOBAL ID：201302290535007040   整理番号：13A0722003

SiO₂/4H-SiC界面の形態的および電気的性質に対する亜酸化窒素における酸化後アニーリングの効果

Effects of a post-oxidation annealing in nitrous oxide on the morphological and electrical properties of SiO₂/4H-SiC interfaces

著者 (6件)： SWANSON L. K. (IMM, CNR, Catania, ITA) ,  FIORENZA P. (IMM, CNR, Catania, ITA) ,  GIANNAZZO F. (IMM, CNR, Catania, ITA) ,  ALESSANDRINO S. (STMicroelectronics, Catania, ITA) ,  LORENTI S. (STMicroelectronics, Catania, ITA) ,  ROCCAFORTE F. (IMM, CNR, Catania, ITA)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 740/742  ページ： 715-718  発行年： 2013年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (8件)： SiO2 ,  4H-SiC ,  界面 ,  形態 ,  電気的性質 ,  亜酸化窒素 ,  酸化 ,  アニーリング