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J-GLOBAL ID:201302290572060830   整理番号:13A1758443

高出力化: 多重パターン形成と450nmウエハリソグラフィーの両方に必要な120W注入同期ArFエキシマレーザ

Power up: 120 Watt injection-locked ArF excimer laser required for both multi-patterning and 450mm wafer lithography
著者 (9件):
資料名:
巻: 8683  ページ: 86831G.1-86831G.10  発行年: 2013年 
JST資料番号: D0943A  ISSN: 0277-786X  CODEN: PSISDG  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ArF液浸リソグラフィーは45nmノードの大量生産に広く利用されている。32nm以細ノードではEUV迄の繋ぎとして二重パターン形成が考えられている。企業の要求(高スループット,高開口数)を充たすために,Gigaphoton社はGT6xAシリーズのレーザを供給している。現在,193nm ArFエキシマレーザは液浸リソグラフィー以外に,多重パターン形成や大型ウエハ(直径450mm)などの先端リソグラフィー技術に応用できる。本論文では,先端的のArFエキシマレーザ(出力120W)の性能を示した。
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 

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