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J-GLOBAL ID:201302290749786003   整理番号:13A1466266

シリコンとガラス基板への銅電極のコールドスプレー堆積

Cold Spray Deposition of Copper Electrodes on Silicon and Glass Substrates
著者 (11件):
資料名:
巻: 22  号:ページ: 1092-1102  発行年: 2013年10月 
JST資料番号: W0482A  ISSN: 1059-9630  CODEN: JTTEE5  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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幅150~1500μmのCuラインを結晶質シリコンウェーハとソーダ石灰ガラスプレート上に平均直径1μmのCu粒子をマスクを介してコールドスプレーにより堆積させた。この直接堆積法で最小のシャドーイング効果と最大の電極対シリコン接触面積を有する高アスペクト比の電極を得た。銅ライン線は三角形の断面を有し,アスペクト比(高さ/幅)は0.1~1.1の範囲で,スプレーガンの走査回数に依存した。マスキングスリットの幅の増加に伴って銅粒子は密に充填した。本研究では,太陽電池用途の前面電極のライン印刷へのコールドスプレー技術の可能性を示した。Copyright 2013 ASM International Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
分類
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めっき一般  ,  太陽電池  ,  固体デバイス製造技術一般 
タイトルに関連する用語 (5件):
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