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J-GLOBAL ID：201302290931792973   整理番号：13A0088556

オンチップ光回路のためのBCB貼り付けを用いたSi基板上InP薄膜受動素子の特性

Characteristics of InP-based passive devices of Si substrate with BCB adhesive wafer bonding for on-chip interconnects

著者 (6件)： LEE Jieun (東京工大) ,  山原佳晃 (東京工大) ,  渥美裕樹 (東京工大) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 371(OPE2012 134-142)  ページ： 39-44  発行年： 2012年12月14日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si-LSI上InP系薄膜光集積回路の実現のために,その基本要素である細線導波路とそれを利用した受動素子の設計と作製法の検討を行った。BCB(Benzocyclobutene)を介してSi基板上に形成したGaInAsP薄膜に,電子線描画法とドライエッチングで作製したGaInAsP細線導波路の側壁粗さと伝搬損失の関係を明らかにし,低損失化技術の検証を行った。その結果,Si基板上化合物細線導波路において最小値となる4dB/cmの伝搬損失を達成した。次に,この作製法を用いて,光信号を2分岐する多モード干渉導波路の構造設計・作製を行い,c-band内で平均挿入損失3dBを得た。また,レーザと細線導波路間のモード分布の不一致による結合損失を計算し,各素子間にテーパ型モード変換器を挿入することにより結合効率を99%に向上する集積素子の構造設計を行った。(著者抄録)

シソーラス用語： *光集積回路 ,  ウエハ【IC】 ,  ヒ化リン化インジウムガリウム ,  半導体薄膜 ,  貼合せ ,  細線 ,  光導波路 ,  表面粗さ ,  損失 ,  光干渉 ,  光結合器 ,  変換器 ,  テーパ構造 ,  効率 ,  設計
準シソーラス用語： Si基板 ,  モード変換器 ,  許容誤差 ,  結合効率 ,  受動素子 ,  素子設計 ,  多モード干渉 ,  伝搬損失

分類 (1件)： 光集積回路,集積光学  (BD06050D)

物質索引 (1件)： ベンゾシクロブテン

タイトルに関連する用語 (7件)： オンチップ ,  光回路 ,  貼り付け ,  Si基板 ,  InP ,  薄膜 ,  受動素子