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J-GLOBAL ID：201302291062672942   整理番号：13A1139541

無機半導体ナノ構造の水熱合成戦略

Hydrothermal synthetic strategies of inorganic semiconducting nanostructures

著者 (4件)： SHI Weidong (Changchun Inst. of Applied Chemistry, Chinese Acad. of Sci., Jilin, CHN) ,  SHI Weidong (Jiangsu Univ., Zhenjiang, CHN) ,  SONG Shuyan (Changchun Inst. of Applied Chemistry, Chinese Acad. of Sci., Jilin, CHN) ,  ZHANG Hongjie (Changchun Inst. of Applied Chemistry, Chinese Acad. of Sci., Jilin, CHN)
資料名： Chemical Society Reviews  (Chemical Society Reviews)
巻： 42  号： 13  ページ： 5714-5743  発行年： 2013年07月07日 
JST資料番号： D0479B  ISSN： 0306-0012  CODEN： CSRVBR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無機半導体の水熱合成におけるナノ構造制御について代表的な技術を総説した。1)有機添加物およびテンプレートを使用しない水熱合成法として,コロイドなどの準安定前駆体を用いるRMP法,バルク原料を用いるRBM法,間接反応源の供給により核形成を開始するISRS法,単一原料の分解によるDSSP法を比較し,成長機構を考察した。2)有機添加物を用いる水熱合成法について,界面活性剤(SA),生体分子(BA),イオン液体(ILA),有機酸(OAA),アルコール(ASA)を挙げた。3)テンプレート援助水熱合成法について,テンプレートの添加/除去によるA&RT経路,テンプレートの自発的除去によるA&SRT経路,自発的添加/除去によるSA&SRT経路を説明した。4)ナノ構造アレイの水熱合成につについて,金属フォイル基板上の垂直アレイ合成(SARG),ナノ粒子からの垂直アレイのエピ成長(HoEG),ヘテロエピタクシー(HeEG)を挙げた。5)水熱合成法のための外部反応環境技術として,マイクロ波照射(MA),外部磁場効果(MFA)の例を示した。

シソーラス用語： *半導体 ,  *ナノ構造 ,  *水熱合成 ,  *添加物効果 ,  *鋳型反応 ,  コロイド ,  前駆体 ,  核形成 ,  *結晶成長 ,  界面活性剤 ,  分子 ,  イオン液体 ,  有機酸 ,  アルコール ,  除去 ,  アレイ ,  ナノ粒子 ,  ヘテロエピタクシー ,  マイクロ波照射 ,  磁場効果 ,  *溶液成長
準シソーラス用語： テンプレート【鋳型反応】 ,  生体分子

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  無触媒液相反応  (CB06060J)

タイトルに関連する用語 (3件)： 半導体ナノ構造 ,  水熱合成 ,  戦略