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J-GLOBAL ID：201302291351152671   整理番号：13A0235823

太陽電池応用のための誘導結合プラズマによって低温堆積されたSiN_x:H薄膜

Low temperature SiN _x :H films deposited by inductively coupled plasma for solar cell applications

著者 (7件)： ZHOU H.p. (Plasma Sources and Application Center, NIE, and Inst. of Advanced Studies, Nanyang Technological Univ., 637616, SGP) ,  WEI D.y. (Plasma Sources and Application Center, NIE, and Inst. of Advanced Studies, Nanyang Technological Univ., 637616, SGP) ,  XU L.x. (Plasma Sources and Application Center, NIE, and Inst. of Advanced Studies, Nanyang Technological Univ., 637616, SGP) ,  GUO Y.n. (Plasma Sources and Application Center, NIE, and Inst. of Advanced Studies, Nanyang Technological Univ., 637616, SGP) ,  XIAO S.q. (Plasma Sources and Application Center, NIE, and Inst. of Advanced Studies, Nanyang Technological Univ., 637616, SGP) ,  HUANG S.y. (Plasma Sources and Application Center, NIE, and Inst. of Advanced Studies, Nanyang Technological Univ., 637616, SGP) ,  XU S. (Plasma Sources and Application Center, NIE, and Inst. of Advanced Studies, Nanyang Technological Univ., 637616, SGP)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 264  ページ： 21-26  発行年： 2013年01月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる化学組成のアモルファス水素化窒化シリコン(SiN_x:H)薄膜をSi+N₂+H₂の低周波誘導結合プラズマを用いて100°Cの低温で合成した。結合配置,結合密度,水素含有量,化学組成,屈折率を多様な特性評価ツールで調べた。窒化シリコンに基づくアルカリ組織化シリコン表面上の反射防止層の反射率は約4%まで低下した。堆積したままの窒化シリコンはp及びn型Siに対して優れたパシベーション効果を示した。表面再結合速度は2-3Ωcmの抵抗率のn型Siで36cm/sまで低下した。パシベーション効果はH関連化学的パシベーションと固定電荷関連場パシベーションに由来する。シランと窒素のH₂希釈混合気体プリカーサからのSi+N₂+H₂成長機構を考察した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化ケイ素 ,  *水素化物 ,  *不動態化 ,  *太陽電池 ,  *非晶質 ,  *誘導結合プラズマ ,  *プラズマCVD ,  誘電体薄膜 ,  薄膜成長 ,  ケイ素 ,  キャリア再結合 ,  *反射防止膜 ,  屈折率
準シソーラス用語： パッシベーション ,  表面再結合

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 太陽電池 ,  応用 ,  誘導結合プラズマ ,  低温 ,  堆積 ,  薄膜