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J-GLOBAL ID：201302291419234213   整理番号：13A1182578

多重積層InAs量子ドットによる半導体増幅器の作製

Fabrication of semiconductor optical amplifier using highly stacked InAs quantum dot

著者 (5件)： 赤羽浩一 (情報通信研究機構) ,  山本直克 (情報通信研究機構) ,  梅沢俊匡 (情報通信研究機構) ,  菅野敦史 (情報通信研究機構) ,  川西哲也 (情報通信研究機構)
資料名： 電気学会光・量子デバイス研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： OQD-13  号： 27-30  ページ： 7-10  発行年： 2013年06月20日 
JST資料番号： Z0922A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 利得媒質として多重積層InAs量子ドットを使用して半導体光増幅器(SOA)を作製した。また,歪補償技術により結晶品質を損なうことなく,20層の多重積層InAs量子ドット層を作り,その量子ドット層を用いたSOAの特性評価を行った。多重積層量子ドットを形成する基板にはInP(311)B基板を用いた。製作したSOAモジュールのASEスペクトルは1.55μm帯での発光を示した。最大利得は1510nmにおいて15dBであった。使用した歪補償法は量子ドット1層と埋込層1層で歪エネルギーが相殺される構成であるので,多重積層構造の製作には様々なパラメータおよび設計が可能となる。

シソーラス用語： *半導体光増幅器 ,  量子ドット ,  ヒ化インジウム ,  補償 ,  積層構造 ,  ASE【放射】 ,  利得
準シソーラス用語： InAs量子ドット ,  半導体量子ドット ,  歪補償

分類 (1件)： その他の光伝送素子  (BD06040S)

引用文献 (17件)：

• (1) L. Goldstein, F. Glas, J. Y. Marzin, M. N. Charasse, and G. Le Roux : "Growth by molecular beam epitaxy and characterization of InAs/GaAs strained-layer superlattices", Applied Physics Letters, Vol.47, No.10 pp.1099-1101 (1985)
• (2) Y. Arakawa and H. Sakaki : "Multidimensional quantum well laser and temperature dependence of its threshold current", Applied Physics Letters, Vol.40, No.11, pp.939-941 (1982)
• (3) X. D. Huang, A. Stintz, C. P. Hains, G. T. Liu, J Cheng, and K. J. Malloy : "Very low threshold current density room temperature continuous-wave lasing from a single-layer InAs quantum-dot laser", IEEE Photonics Technology Letters, Vol.12, pp.227-229 (2000)
• (4) C. Y. Liu, S. F. Yoon, Q. Cao, C. Z. Tong, and H. F. Li : "Low transparency current density and high temperature operation from ten-layer p-doped 1.3 pm InAs/InGaAs/GaAs quantum dot lasers", Applied Physics Letters, Vol.90, 041103 (2007)
• (5) A. R. Kovsh, N. A. Maleev, A. E. Zhukov, S. S. Mikhrin, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Shernyakov, M. V. Maximov, D. A. Livshits, V. M. Ustinov, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsof, and D. Bimberg : "InAs/InGaAs/GaAs quantum dot lasers of 1.3 pm range with high (88%) differential efficiency", Electronics Letters, Vol.38, pp.1104-1106 (2002)

タイトルに関連する用語 (4件)： 多重積層 ,  InAs量子ドット ,  増幅器 ,  作製