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J-GLOBAL ID：201302291598052858   整理番号：13A1283088

GaAs(110)表面へのMn原子取込み

Incorporation of Mn atoms into the GaAs(110) surface

著者 (2件)： HIRAYAMA Motoi (Anan National Coll. of Technol., 265 Aoki, Minobayashi, Anan, Tokushima 774-0017, JPN) ,  TSUKAMOTO Shiro (Anan National Coll. of Technol., 265 Aoki, Minobayashi, Anan, Tokushima 774-0017, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 378  ページ： 50-52  発行年： 2013年09月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子線エピタクシー法により調製したGaAs(110)表面上のMn原子を調べた。原子スケールの局所構造を200°Cの温度で観察した。すなわち走査トンネル顕微鏡(STM)像から単一のMn原子と二重Mn原子が,Ga行に存在した。また,GaAs(110)のGa置換Mn原子について,第一原理計算から計算した,シミュレートされたSTM像を示す。単一Mnと二Mnの配置の実験的と理論的STM像の両方がお互いによく一致している。したがって,Mn原子は,STM像により最上位のGaサイトに取込まれてる様に見える。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *MBE成長 ,  半導体薄膜 ,  *走査型トンネル顕微鏡 ,  *マンガン ,  取込 ,  *置換型原子 ,  計算機シミュレーション ,  第一原理 ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： 原子取込

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  Mn ,  原子 ,  取込み