波長が405nmのファイバ型半導体レーザによるレーザ干渉ナノリソグラフィー

XU Jia; WANG Zuobin; WANG Zuobin; WENG Zhankun; LI Zhiming; SUN Xiaojuan; LIU Lanjiao; ZHAO Le; ZHAO Le; YUE Yong; YUE Yong; ZHANG Jin

文献

J-GLOBAL ID：201302291681913890 整理番号：13A1230477

波長が405nmのファイバ型半導体レーザによるレーザ干渉ナノリソグラフィー

Laser Inteference Nanolithography with a 405nm Fiber Semiconductor Laser

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資料名：
巻： 552 ページ： 262-267 発行年： 2013年
JST資料番号： D0744C ISSN： 1013-9826 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：スイス (CHE) 言語：英語 (EN)

ナノ構造の形成は,集積回路,回折格子,フォトニクス,生体模倣材料,センサなどに幅広く応用できる最も重要な技術の一つである。最近では,電子ビームリソグラフィー,イオンビームリソグラフィー,ナノインプリントリソグラフィー,およびレーザ干渉リソグラフィーなど,ナノ構造を形成するための幾つかの技術が開発されている。電子ビームリソグラフィーやイオンビームリソグラフィーは,任意のパターンを形成することが可能であるが,費用が高く,効率が低いのが難点である。ナノインプリントリソグラフィーは,低い費用でパターン形成が可能であるが,精度の点で問題がある。本稿では,波長が405nmのファイバ型半導体レーザを用いて,レジスト上に干渉パターンを形成するためのレーザ干渉ナノリソグラフィー法を示す。この方法では,入射する二つの干渉ビームの入射角,レーザビームの照射量および現像時間の制御によって,表面のパターン構造を作製する。ファイバ光学部品を採用することによって,入射角の調整が容易になり,システムに対する環境の変化の影響が低減する。本研究では,形状を63nmまで縮小し,周期が215nmのパターンを形成することができた。実験結果から,この方法は単純で,柔軟性に富み,低い費用でマイクロおよびナノスケールの周期的な表面パターンを形成するのに非常に有用であることが分かった。

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固体デバイス製造技術一般

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