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J-GLOBAL ID：201302291918522815   整理番号：13A0153305

超短パルスレーザ・バーストにより照射されたシリコン・ナノ薄膜の原子レベル・モデリング

Atomic-level modeling of a silicon nanofilm irradiated by ultrashort-pulsed laser bursts

著者 (2件)： GAN Yong (School of Aeronautics and Astronautics, Zhejiang Univ., Hangzhou, Zhejiang 310027, CHN) ,  CHEN J.k. (Dep. of Mechanical and Aerospace Engineering, Univ. of Missouri, Columbia, MO 65211, USA)
資料名： International Journal of Thermal Sciences  (International Journal of Thermal Sciences)
巻： 65  ページ： 1-8  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： B0246B  ISSN： 1290-0729  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： フランス (FRA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超短パルスレーザ・バーストにより照射されたシリコン・ナノ薄膜の原子レベルシミュレーションを,超高速エネルギー輸送モデルとともに分子動力学を使用して実施した。レーザ・バーストにおけるパルス数とパルス間の分離時間との,照射された薄膜の熱機械的応答への効果を検討した。数値結果は,同じ総合エネルギーを持つレーザ・バーストに対して,パルスが多くなりあるいはパルス分離時間が長くなるほど,キャリア温度と数密度がより低下することを示した。同じ傾向は,光学的性質での動的変化の結果として,0.18J/cm²を除く全レーザフルエンス0.1J/cm²において,格子温度に対しても観測された。また,レーザ・バーストにおけるパルス分離時間あるいはパルス数のいずれかが増すことにより誘起熱応力波が弱まることも見出した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  ケイ素 ,  ナノ構造 ,  *超薄膜 ,  モデリング ,  パルスレーザ照射 ,  パルスレーザ ,  物理的性質 ,  バースト ,  超短パルスレーザ ,  ナノシート
準シソーラス用語： ナノ薄膜 ,  熱機械的特性

分類 (1件)： 非金属のその他の熱的性質  (BL05040J)

タイトルに関連する用語 (6件)： 短パルスレーザ ,  バースト ,  シリコン ,  ナノ薄膜 ,  原子 ,  モデリング