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J-GLOBAL ID：201302291985661358   整理番号：13A1204967

ゲート酸化膜厚非対称性に適応した共通ダブルゲートMOSFETのための非準静的電荷モデル

Nonquasi-Static Charge Model for Common Double-Gate MOSFETs Adapted to Gate Oxide Thickness Asymmetry

著者 (2件)： SHARAN Neha (Indian Inst. Sci., Bangalore, IND) ,  MAHAPATRA Santanu (Indian Inst. Sci., Bangalore, IND)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 60  号： 7  ページ： 2419-2422  発行年： 2013年07月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 既存のプレーナ共通DC MOSFETのコンパクトモデルは基本的にゲート酸化膜厚が等しいことを仮定している。実際デバイスではプロセス変動と不確実さから二つのゲートの酸化膜厚は微妙に異なっていて性能に影響している。チャネルに沿った表面ポテンシャル間の準線形関係を使った,異なるゲート酸化膜厚の可能性がある共通DG MOSFETのための準静的ターミナル電荷モデルを提案する。非準静的(NQS)電荷モデルを開発するために連続方程式を解いてこの概念を拡長した。提案するNQSモデルはTCADシミュレーションと良く一致し,効率的な回路シミュレーションに役立つ。

シソーラス用語： 技術 ,  MOSFET ,  回路シミュレーション ,  酸化膜 ,  *膜厚 ,  *非対称性
準シソーラス用語： ゲート酸化膜 ,  *コンパクトモデリング ,  ダブルゲートMOSFET ,  *ダブルゲート

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (7件)： ゲート酸化膜 ,  厚 ,  非対称性 ,  適応 ,  ダブルゲートMOSFET ,  電荷 ,  モデル