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J-GLOBAL ID：201302292055320603   整理番号：13A1749016

DSAリソグラフィーによる28nmピッチSiフィンの作製

Fabrication of 28nm pitch Si fins with DSA lithography

著者 (12件)： SCHMID Gerard (GLOBALFOUNDRIES, NY) ,  FARRELL Richard (GLOBALFOUNDRIES, NY) ,  XU Ji (GLOBALFOUNDRIES, NY) ,  PARK Chanro (GLOBALFOUNDRIES, NY) ,  PREIL Moshe (GLOBALFOUNDRIES, CA) ,  CHAKRAPANI Vidhya (Tokyo Electron Technol. Center, America, LLC., NY) ,  MOHANTY Nihar (Tokyo Electron Technol. Center, America, LLC., NY) ,  KO Akiteru (Tokyo Electron Technol. Center, America, LLC., NY) ,  CICORIA Michael (Tokyo Electron Technol. Center, America, LLC., NY) ,  HETZER David (Tokyo Electron Technol. Center, America, LLC., NY) ,  SOMERVELL Mark (Tokyo Electron America, Inc., TX) ,  RATHSACK Benjamen (Tokyo Electron America, Inc., TX)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8680  ページ： 86801F.1-86801F.12  発行年： 2013年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現在の光リソグラフィーの延長としての指向性自己集合(DSA)は,他の技術の能力を超えた解像度および費用有効性を持つパターニング能力を実証した。パターニング表面の相互作用(chemoepitaxy)を作りだすことによって,そして/あるいは,適切な表面トポロジー(graphoepitaxy)を導入することによって,ブロック共重合体の自己集合挙動は産業界に関連したパターンに向けられる。193nm液浸リソグラフィーと関連づけたDSAは,他の多数回パターニング技術と比較して,費用有効性があり,複雑さが少ないアプローチであることが実証されたが,DSAリソグラフィーには多くの課題が残されている。DSAのこれまでの研究では,パターニング段階の欠陥密度とスループット能力に関する有望なベンチマークが報告されている。このような結果に基づき,デバイス層を作製する頑丈なプロセスにDSAパターニング段階を統合する努力を進めている。ここでは,28nmピッチSiフィンアレイ製造のための2つのchemoepitaxy DSAパターニング法の統合に関する現状報告をする。頑丈なパターン転写プロセスの必要条件に加えて,DSAに関連したパターン設計の制限を理解することも重要である。DSA能力を利用する効率的なデバイス設計を開発することに関連した課題と機会のいくつかを議論する。

シソーラス用語： *自己集合 ,  *指向性 ,  *フォトリソグラフィー ,  分解能 ,  パターン形成 ,  欠陥密度 ,  スループット ,  パターン転写
準シソーラス用語： パターンニング ,  解像度

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： DSA ,  リソグラフィー ,  ピッチ ,  Si ,  フィン ,  作製