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J-GLOBAL ID：201302292238509934   整理番号：13A1033100

将来の歪シリコン金属酸化物半導体電界効果トランジスタのためのシリコン-カーボン固溶体材料のキャラクタライゼーション

Characterization of silicon-carbon alloy materials for future strained Si metal oxide semiconductor field effect transistors

著者 (3件)： HSIEH B.-f. (Dep. of Electrical Engineering and Graduate Inst. of Optoelectronic Engineering, National Chung Hsing Univ. ...) ,  CHANG S.t. (Dep. of Electrical Engineering and Graduate Inst. of Optoelectronic Engineering, National Chung Hsing Univ. ...) ,  LEE M.h. (Inst. of Electro-Optical Sci. and Technol., National Taiwan Normal Univ., Taipei, Taiwan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 529  ページ： 444-448  発行年： 2013年02月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論は,歪シリコン-カーボン合金(Si_1-xC_x)表面チャネルを用いた,N型金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(NMOSFET)について述べた。シリコンおよびカーボンのソースとしてそれぞれシランおよびメチルシランを用いて,カーボン置換量が最大~1%の引っ張り歪Si_1-xC_x層を超高真空化学蒸着法によって(100)Si基板上にエピタキシャル成長させた。歪緩和の可能性を最小化するため,還元熱処理を使用する通常のMOSプロセスを用いてNMOSFETを作製した。Si基板上のシリコン-カーボン固溶体中の歪分布を解析するため,逆格子空間マッピング法を使用した。Si_1-xC_xおよびSi制御デバイスの室温における電子転換層のモビリテイは同等であった。これは緩和Si_1-xGe_x層の上に成長させた,引っ張り歪Siを用いて作製されるNMOSFETで観測される電子モビリテイのエンハンスと対照的である。Si_1-xC_x電子転換層の低温でのモビリテイはSi制御したものより低く,これは不規則固溶体による散乱の可能性とともにクーロン相互作用の影響のように見える。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MOSFET ,  *ケイ素 ,  *固溶体 ,  半導体薄膜 ,  *炭素 ,  N型半導体 ,  *化学蒸着 ,  エピタクシー ,  *歪 ,  空間分布 ,  緩和現象 ,  *キャリア移動度
準シソーラス用語： 引張歪 ,  歪緩和

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 歪シリコン ,  金属酸化物半導体 ,  電界効果トランジスタ ,  シリコン ,  カーボン ,  固溶体