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J-GLOBAL ID：201302292515996708   整理番号：13A0854410

InAlN/AlN/GaNにもとづく二重チャネル高電子移動度トランジスタにおけるトラップ状態

Trap states in InAlN/AlN/GaN-based double-channel high electron mobility transistors

著者 (8件)： ZHANG Kai (Key Lab. of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an ...) ,  XUE Junshuai (Key Lab. of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an ...) ,  CAO Mengyi (Key Lab. of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an ...) ,  YANG Liyuan (Key Lab. of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an ...) ,  CHEN Yonghe (Key Lab. of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an ...) ,  ZHANG Jincheng (Key Lab. of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an ...) ,  MA Xiaohua (Key Lab. of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an ...) ,  HAO Yue (Key Lab. of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 113  号： 17  ページ： 174503-174503-5  発行年： 2013年05月07日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *HEMT ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  電子 ,  *捕獲 ,  界面 ,  容量電圧特性 ,  *欠陥準位 ,  インジウム化合物 ,  窒化アルミニウム ,  チャネル ,  MOCVD ,  コンダクタンス ,  密度 ,  時定数 ,  ヘテロ接合
準シソーラス用語： *トラップ【固体】 ,  高電子移動度トランジスタ ,  窒化アルミニウムインジウム ,  捕獲密度 ,  二重チャネル

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (6件)： InAlN ,  AlN ,  GaN ,  二重チャネル ,  高電子移動度トランジスタ ,  トラップ