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J-GLOBAL ID：201302292680994280   整理番号：13A0621773

正バイアス温度ストレス印加のもとにおける電子トラップ変換

Electron Trap Transformation Under Positive-Bias Temperature Stressing

著者 (5件)： GAO Y. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  ANG D.S. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  BERSUKER G. (SEMATECH, TX, USA) ,  YOUNG C.D. (SEMATECH, TX, USA) ,  YOUNG C.D. (Univ. Texas at Dallas, TX, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 34  号： 3  ページ： 351-353  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： high-kゲート(HfO₂)nMOSFETを対象として,動的な正バイアス温度不安定性の実験を行い,電子デトラッピングを調査した。閾値電圧シフトの抽出とゲート電流の測定にもとづいた。電子デトラッピングは,高めの酸化膜ストレス電界(5.5MV/cm)において,ストレス/緩和のサイクル数とともに次第に減少した。この減少について解析し,より深い準位に変換される電子トラップ状態の存在,トラップ電子の放出時間の増大を推論した。なお,この減少はストレス誘起漏れ電流の増大を伴わず,さらに負のゲート電圧で回復が可能であった。以上の結果から,負バイアス温度不安定性と正バイアス温度不安定性とでは異なった欠陥が活性となっていることを示唆した。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *電子 ,  *捕獲 ,  *熱安定性 ,  *不安定性 ,  誘電体薄膜 ,  電荷 ,  漏れ電流 ,  電圧変動 ,  欠陥
準シソーラス用語： high-k膜 ,  *nMOSFET ,  ゲート漏れ電流 ,  *正バイアス温度不安定性 ,  *電子トラップ ,  捕獲電荷 ,  閾値電圧シフト

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： バイアス ,  温度ストレス ,  印加 ,  電子トラップ