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J-GLOBAL ID：201302293093264381   整理番号：13A1087423

渦電流法だけを用いたCMP工程時のCu膜厚のその場測定

In-situ measurement of Cu film thickness during the CMP process by using eddy current method alone

著者 (7件)： QU Zilian ,  ZHAO Qian ,  MENG Yonggang ,  WANG Tongqing ,  ZHAO Dewen ,  MEN Yanwu ,  LU Xinchun
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 108  ページ： 66-70  発行年： 2013年08月 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい半導体製造技術である無応力研磨(SFP)工程では,厚みが200~500nmの相互接続Cu膜の厚み決定するための正確なその場高速測定法が非常に重要な技術として要求される。本論文では,最適化した渦電流変換器を用いたその場Cu膜厚測定装置を示した。作製した変換器を化学機械研磨(CMP)プラットフォームに統合し,均一な厚みのCu膜と相互接続を有するCu膜の厚みの両方を測定した。CMP実験の結果,3mmのリフトオフ距離の下で,変換器は数nmの分解能を達成したことが示された。下層のCu相互接続の密度が増すと,被覆Cu膜の厚み測定値も増加した。オンライン差分信号処理法を使用して測定システムのドリフトを除去した。再現性と不安定性の誤差は1.6%以下であった。システムは先進的CMP工程に対する技術的な要求に合致している。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 渦電流 ,  *厚み測定 ,  相互接続 ,  金属薄膜 ,  半導体プロセス ,  *化学研磨 ,  *渦電流検査 ,  銅 ,  分解能 ,  *化学機械研磨
準シソーラス用語： その場測定 ,  銅薄膜 ,  *膜厚測定

分類 (2件)： 長さ,面積,断面,体積,容積,角度の計測法・機器  (AD05020O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 渦電流 ,  CMP ,  Cu ,  膜厚 ,  その場測定