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J-GLOBAL ID：201302293440685007   整理番号：13A0349739

BiS₂ベースの層状超伝導体Bi₄O₄S₃

BiS₂-based layered superconductor Bi₄O₄S₃

著者 (11件)： MIZUGUCHI Yoshikazu (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  MIZUGUCHI Yoshikazu (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  FUJIHISA Hiroshi (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  GOTOH Yoshito (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  SUZUKI Katsuhiro (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  USUI Hidetomo (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  KUROKI Kazuhiko (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  DEMURA Satoshi (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  TAKANO Yoshihiko (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  IZAWA Hiroki (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  MIURA Osuke (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 86  号： 22  ページ： 220510.1-220510.5  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 層状超伝導体の開発に関する研究の一環として,本研究では,BiS₂ベースのBi₄O₄S₃の特性について調べ,超伝導を発見した。結晶構造解析の結果は,この超伝導体が,BiS₂層とスペーサ層との積層からなる層状構造を有することを示した。また,バンド構造計算の結果は,Bi₄O₄S₃のFermi準位が,BiS₂層内のBi6p軌道の部分状態密度のピーク位置にあることを示した。

シソーラス用語： *超伝導体 ,  *ビスマス化合物 ,  酸化物 ,  硫化物 ,  置換型固溶体 ,  層状化合物 ,  バンド構造 ,  *電気抵抗率 ,  温度依存性 ,  極低温 ,  状態図 ,  状態密度 ,  積層構造 ,  Fermi準位
準シソーラス用語： 部分状態密度

分類 (1件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R)

タイトルに関連する用語 (2件)： 層状 ,  超伝導体