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J-GLOBAL ID:201302293485493818   整理番号:13A1934306

低電圧ZnOバリスタの野外故障機構と水分による再現

Field failure mechanism and reproduction due to moisture for low-voltage ZnO varistors
著者 (1件):
資料名:
巻: 53  号: 9-11  ページ: 1632-1637  発行年: 2013年09月 
JST資料番号: C0530A  ISSN: 0026-2714  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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ここでは,野外での低電圧ZnOバリスタの絶縁抵抗/漏れ電流故障を調査する。故障バリスタは,表面研磨後に通常動作に回復し,故障部位は,Si被覆層とバルクZnOの最も外側に位置した。野外故障現象を再現するために,故障を引き起こす効果的なストレスを示唆した。選択ストレスが野外故障を引き起こしたかどうかを決定するために,加速再現試験を実施した。欠陥形成を促進するために,水の沈殿/リフロー前提条件を適用した。前提条件後にバイアスHASTは,同じ野外故障現象を再現できる。被覆法を改善した試料との比較によって,故障機構と根本原因を決定した。絶縁抵抗劣化がバリスタ表面に吸収される水分によって生成するZn(OH)2によって引き起こされるとする故障機構を提案した。さらに,ZnO及び漏れ電流劣化は,バルクセラミック表面上のZnO粒界に拡散するH2Oの解離によって生成したH+イオンによって引き起こされた。最後に,酸化亜鉛バリスタの野外故障のための実効要因は,シリコン被覆の弱さ,湿気の侵入,およびバイアスとして定義した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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固体デバイス計測・試験・信頼性 

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