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J-GLOBAL ID：201302293583387414   整理番号：13A1225895

V₂O₅とHFの溶液中でのケイ素の無電解エッチングの化学量論性

The Stoichiometry of Electroless Silicon Etching in Solutions of V₂O₅ and HF

著者 (2件)： KOLASINSKI Kurt W. (West Chester Univ., PA, USA) ,  BARCLAY William B. (West Chester Univ., PA, USA)
資料名： Angewandte Chemie. International Edition  (Angewandte Chemie. International Edition)
巻： 52  号： 26  ページ： 6731-6734  発行年： 2013年 
JST資料番号： H0127B  ISSN： 1433-7851  CODEN： ACIEAY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ケイ素は酸化剤を含むフッ化物溶液中で無電解的にエッチングされ多孔質シリコンを生成する。多孔質シリコン生成条件下で行うエッチング過程は歪エッチング過程として知られている。この過程で酸化剤はケイ素の価電子バンドから1個の電子を引き抜き,エッチングを開始し,それから伝導バンドからのH₂の発生を抑える役割をしている。酸化剤として一般的用いられるのはHNO₃であるが,HNO₃+HF系での歪エッチングの化学量論性はきわめて複雑である。本研究では,最近,見いだされたV₂O₅を酸化剤とする歪エッチングの化学量論性を,Marcusの電子移動理論とGerischerのケイ素エッチングモデルに従って解析した。その結果,歪エッチングに対する律速過程が正孔注入過程であることを明らかにすることができた。

シソーラス用語： *エッチング ,  電気化学 ,  *多孔質シリコン ,  酸化剤 ,  酸化バナジウム ,  *化学量論 ,  界面化学 ,  Marcus理論 ,  キャリア注入 ,  フッ化水素 ,  ケイ素 ,  律速 ,  加工速度
準シソーラス用語： 正孔注入 ,  エッチング速度

分類 (3件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  固-液界面  (CB12050B) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： HF ,  溶液 ,  ケイ素 ,  無電解エッチング